采用Si<sub>1-<em>x</em></sub>Ge<sub><em>x</em></sub>渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

采用Si_1-xGe_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

张航, 陈诺夫, 杨秀钰, 等

太阳能学报 ›› 2019, Vol. 40 ›› Issue (2) : 549-555.

PDF(1517 KB)

欢迎访问《太阳能学报》官方网站，今天是

ISSN 0254-0096　CN 11-2082/K

PDF(1517 KB)

太阳能学报 ›› 2019, Vol. 40 ›› Issue (2) : 549-555.

论文

采用Si_1-xGe_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

作者信息 +

文章历史 +

引用本文

导出引用

张航, 陈诺夫, 杨秀钰, 等. 采用Si_1-xGe_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析[J]. 太阳能学报. 2019, 40(2): 549-555

PDF(1517 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

相关文章

/

〈

〉