采用Si<sub>1-<em>x</em></sub>Ge<sub><em>x</em></sub>渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

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ISSN 0254-0096　CN 11-2082/K

采用Si_1-xGe_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

张航, 陈诺夫, 杨秀钰, 等

太阳能学报 . 2019, (2): 549 -555 .